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Sie wollen eine aufwendige Mehrschichtstruktur entwickeln und untersuchen, aber Ihnen stehen nicht genügend Zeit oder Ressourcen zur Verfügung? Lassen Sie uns das Problem für Sie lösen.

Mit Hilfe von gut etablierten PVD/CVD Prozessen und langjährigen Erfahrungen in der Dünnschichtabscheidung bietet Alineason eine Reihe von wichtigen Materialien als epitaktische Schichten mit höchster Qualität. Somit werden Sie von den unbedeutenden Aufgaben entlastet und Sie können sich auf die wichtigsten Themen konzentrieren.




Kategorie Spezifikationen

  • Schichtenfolge und Schichtdicke können von Kunden bestimmt werden
  • Zusammensetzung der Mischsysteme ist kontinuierlich skalierbar
  • Abscheidung auf leitfähiger Zwischenschicht möglich
  • Materialien oder Spezifikationen über die Standardangebote hinaus bitte auf Anfrage

Gruppe

Material

Methode

Substrat

Maße 

Verbindungshalbleiter

Arsenide: GaAs, AlGaAs, GaInAs
Phosphide: InP, GaInP
Nitride: GaN, AlN

MBE / MOVPE

GaAs
AlN
Sapphire

Ø 2 - 4" Wafer

Lanthan-haltige Oxide

LaxCa1-xMnO3
LaxSr1-xMnO3
LaxSr1-xCoO3
LaxSr1-xSnO3

PLD

SrTiO3
LSAT
NdGaO3

5 × 5 mm2
5 × 10 mm2
10 × 10 mm2

Dielektrika / Ferroelektrika

BaTiO3, SrTiO3, BaxSr1-xTiO3
PbTiO3, PbZrO3, PbZrxTi1-xO3
BiFeO3

PLD

SrTiO3
LSAT
MgO
NdGaO3

5 × 5 mm2
5 × 10 mm2
10 × 10 mm2