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Kristalle sind eine der wichtigsten Säulen moderner Optik und Halbleitertechnologien. Aufgrund der Verschiedenheit der Kristalleigenschaften und der Züchtungsmethoden ist Kristallzüchtung ein hoch interdisziplinäres Fachgebiet, das Expertise in der Physik, Chemie und Materialwissenschaft nötig macht.

Als Repräsentant weltweit führender Kristallhersteller bietet Alineason eine breite Produktpalette von nahezu allen Kristallen mit technologischen Bedeutungen. Dazu gehören sowohl Bulk-Kristalle als auch einkristalline Wafer und Substrate. Je nach Ihren Anwendungen können Kristalle mit individuellen Maßen, Dotierungen und Orientierungen angefertigt werden.

Kategorie Spezifikationen

  • Wafer und Substrate aus elementaren und Verbindungs-Halbleitern
  • Spezifikationen über die Standardangebote hinaus (z.B. Maße, Politur, Orientierungen und Dotierungen) bitte auf Anfrage

CdSCadmiumsulfid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. 25 mm × 25 mm × 15 mm
Züchtungsverfahren Physical Vapor Transport
Orientierung (0001)
(11-20)
(10-10)
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Hexagonal
Gitterkonstante a = 0,414 nm
c = 0,672 nm
Schmelztemperatur 1287 °C
Dichte 4,82 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 4,6 × 10-6 K-1 @ a-Achse
2,5 × 10-6 K-1 @ c-Achse
Dielektrizitätskonstante 8,9 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 2,7 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit 250 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 2,42 eV

CdSeCadmiumselenid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Züchtungsverfahren Physical Vapor Transport
Orientierung (0001)
(11-20)
(10-10)
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Hexagonal
Gitterkonstante a = 0,429 nm
c = 0,702 nm
Schmelztemperatur 1268 °C
Dichte 5,81 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,26 × 10-6 K-1 @ a-Achse
4,28 × 10-6 K-1 @ c-Achse
Dielektrizitätskonstante 10,2 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,04 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit 900 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 1,74 eV

CdTeCadmiumtellurid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Züchtungsverfahren Physical Vapor Transport
Orientierung (100)
(110)
(111)
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch
Gitterkonstante a = 0,648 nm
Schmelztemperatur 1091 °C
Dichte 5,85 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 5,9 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 11,1 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 6,2 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit 700 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 1,56 eV

GaAsGalliumarsenid

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 3"
Züchtungsverfahren Liquid Encapsulated Czochralski / Bridgman
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undotiert, Si, Zn, Cr, Te
Oberfläche 1-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch (Zinkblende)
Gitterkonstante a = 0,565 nm
Schmelztemperatur 1238 °C
Dichte 5,32 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 5,8 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante
12,85 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,55 W cm-1 K-1
Elektronenbeweglichkeit 8500 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 1,424 eV

GaPGalliumphosphid

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2"
Züchtungsverfahren Liquid Encapsulated Czochralski
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undotiert, S
Oberfläche 1-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch (Zinkblende)
Gitterkonstante a = 0,545 nm
Schmelztemperatur 1477 °C
Dichte 4,14 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 4,65 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 11,1 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 1,1 W cm-1 K-1
Elektronenbeweglichkeit 250 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 2,26 eV

GaSbGalliumantimonid

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 3"
Züchtungsverfahren Liquid Encapsulated Czochralski / Bridgman
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undotiert, Zn, Te
Oberfläche 1-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch (Zinkblende)
Gitterkonstante a = 0,609 nm
Schmelztemperatur 712 °C
Dichte 5,61 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 7,75 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 15,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,32 W cm-1 K-1
Elektronenbeweglichkeit 3000 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 0,726 eV

GeGermanium

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 4"
Züchtungsverfahren Czochralski
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undoped, In, Ga, Sb
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch
Gitterkonstante a = 0,567 nm
Schmelztemperatur 937,4 °C
Dichte 5,323 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 2,6 × 10-6 K-1
Bandlücke
0,67 eV

InAsIndiumarsenid

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 4"
Züchtungsverfahren Liquid Encapsulated Czochralski
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undotiert
Oberfläche 1-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch (Zinkblende)
Gitterkonstante a = 0,606 nm
Schmelztemperatur 942 °C
Dichte 5,68 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 4,52 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 15,15 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,27 W cm-1 K-1
Elektronenbeweglichkeit ≤ 4×104 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 0,354 eV

InPIndiumphosphid

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 3"
Züchtungsverfahren Liquid Encapsulated Czochralski
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undotiert, Sn, S, Fe, Zn
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch (Zinkblende)
Gitterkonstante a = 0,587 nm
Schmelztemperatur 1060 °C
Dichte 4,81 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 4,60 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 12,5 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,68 W cm-1 K-1
Elektronenbeweglichkeit 5400 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 1,344 eV

InSbIndiumantimonid

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 3"
Züchtungsverfahren Liquid Encapsulated Czochralski
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undotiert, Ge, Te
Oberfläche 1-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch (Zinkblende)
Gitterkonstante a = 0,648 nm
Schmelztemperatur 527 °C
Dichte 5,77 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 5,37 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 16,8 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,18 W cm-1 K-1
Elektronenbeweglichkeit 7,7×104 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 0,17 eV

SiSilizium

Standard Spezifikationen
Maße Ø 2" - 6" (max. Ø 8")
Züchtungsverfahren Czochralski / Float-Zone
Orientierung (100)
(110)
(111)
Dotierung undoped, B, P, As, Sb
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch
Gitterkonstante a = 0,543 nm
Schmelztemperatur 1414 °C
Dichte 2,329 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 5,7 × 10-6 K-1
Bandlücke
1,1 eV

SiCSiliziumkarbid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,3 mm
Züchtungsverfahren MOCVD
Orientierung (0001)
Stapelfolge 6H-ABCACB
4H-ABCA
Oberfläche 1-seitig poliert (Si Substrat)
Material Eigenschaften
Struktur Hexagonal
Gitterkonstante a = 0,308 nm
c = 1,508 nm
Schmelztemperatur 2700 °C
Dichte 3,217 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 10,3 × 10-6 K-1

ZnSZinksulfid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Züchtungsverfahren Bridgman
Orientierung (100)
(110)
(111)
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch
Gitterkonstante a = 0,541 nm
Schmelztemperatur 1830 °C
Dichte 4,09 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,6 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 8,3 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 16,7 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit 340 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 3,54 eV

ZnSeZinkselenid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Züchtungsverfahren Physical Vapor Transport
Orientierung (100)
(110)
(111)
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch
Gitterkonstante a = 0,567 nm
Schmelztemperatur 1517 °C
Dichte 5,264 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 7,1 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 9,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 13 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit 500 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 2,82 eV

ZnTeZinktellurid

Standard Spezifikationen
Maße 10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Züchtungsverfahren Bridgman
Orientierung (100)
(110)
(111)
Oberfläche 1- / 2-seitig poliert
Material Eigenschaften
Struktur Kubisch
Gitterkonstante a = 0,610nm
Schmelztemperatur 1295 °C
Dichte 5,63 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient 8,3 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante 9,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit 0,108 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit 350 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke 2,23 eV