Halbleiter
CdSe Cadmiumselenid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(0001)
(11-20)
(10-10)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturHexagonal
Gitterkonstantea = 0,429 nm
c = 0,702 nmSchmelztemperatur1268 °C
Dichte5,81 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient6,26 × 10-6 K-1 @ a-Achse
4,28 × 10-6 K-1 @ c-AchseDielektrizitätskonstante10,2 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,04 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit900 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke1,74 eV
CdS Cadmiumsulfid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. 25 mm × 25 mm × 15 mmZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(0001)
(11-20)
(10-10)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturHexagonal
Gitterkonstantea = 0,414 nm
c = 0,672 nmSchmelztemperatur1287 °C
Dichte4,82 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient4,6 × 10-6 K-1 @ a-Achse
2,5 × 10-6 K-1 @ c-AchseDielektrizitätskonstante8,9 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit2,7 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit250 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke2,42 eV
CdTe Cadmiumtellurid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(100)
(110)
(111)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,648 nm
Schmelztemperatur1091 °C
Dichte5,85 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,9 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit6,2 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit700 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke1,56 eV
GaSb Galliumantimonid
MaßeØ 2" - 3"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Zn, Te
Oberfläche1-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,609 nm
Schmelztemperatur712 °C
Dichte5,61 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient7,75 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante15,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,32 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit3000 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke0,726 eV
GaAs Galliumarsenid
MaßeØ 2" - 3"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Si, Zn, Cr, Te
Oberfläche1-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,565 nm
Schmelztemperatur1238 °C
Dichte5,32 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,8 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante12,85 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,55 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit8500 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke1,424 eV
GaP Galliumphosphid
MaßeØ 2"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, S
Oberfläche1-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,545 nm
Schmelztemperatur1477 °C
Dichte4,14 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient4,65 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit1,1 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit250 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke2,26 eV
Ge Germanium
MaßeØ 2" - 4"
ZüchtungsverfahrenCzochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundoped, In, Ga, Sb
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,567 nm
Schmelztemperatur937,4 °C
Dichte5,323 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient2,6 × 10-6K-1
Bandlücke0,67 eV
InSb Indiumantimonid
MaßeØ 2" - 3"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Ge, Te
Oberfläche1-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,648 nm
Schmelztemperatur527 °C
Dichte5,77 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,37 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante16,8 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,18 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit7,7×104cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke0,17 eV
InAs Indiumarsenid
MaßeØ 2" - 4"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,606 nm
Schmelztemperatur942 °C
Dichte5,68 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient4,52 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante15,15 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,27 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit≤ 4×104cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke0,354 eV
InP Indiumphosphid
MaßeØ 2" - 3"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Sn, S, Fe, Zn
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,587 nm
Schmelztemperatur1060 °C
Dichte4,81 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient4,60 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante12,5 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,68 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit≤ 5400 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke1,344 eV
Si Silizium
MaßeØ 2" - 6" (max. Ø 8")
ZüchtungsverfahrenCzochralski / Float-Zone
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundoped, B, P, As, Sb
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,543 nm
Schmelztemperatur1414 °C
Dichte2,329 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,7 × 10-6K-1
Bandlücke1,1 eV
SiC Siliziumkarbid
Maße10 mm × 10 mm × 0,3 mm
ZüchtungsverfahrenMOCVD
Orientierung(0001)
Stapelfolge6H-ABCACB
4H-ABCAOberfläche1-seitig poliert (Si Substrat)
StrukturHexagonal
Gitterkonstantea = 0,308 nm
c = 1,508 nmSchmelztemperatur2700 °C
Dichte3,217 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient10,3 × 10-6K-1
ZnSe Zinkselenid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(100)
(110)
(111)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,567 nm
Schmelztemperatur1517 °C
Dichte5,264 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient7,1 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante9,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit13 W cm-1K-1@ 300 K
Elektronenbeweglichkeit500 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke2,82 eV
ZnS Zinksulfid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenBridgman
Orientierung(100)
(110)
(111)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,541 nm
Schmelztemperatur1830 °C
Dichte4,09 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient6,6 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante8,3 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit16,7 W cm-1K-1@ 300 K
Elektronenbeweglichkeit340 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke3,54 eV
ZnTe Zinktellurid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenBridgman
Orientierung(100)
(110)
(111)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,610nm
Schmelztemperatur1295 °C
Dichte5,63 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient8,3 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante9,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,108 W cm-1K-1@ 300 K
Elektronenbeweglichkeit350 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke2,23 eV
Kristalle sind eine der wichtigsten Säulen moderner Halbleiter- und optischer Technologien. Aufgrund der Verschiedenheit der Kristalleigenschaften und der Züchtungsmethoden ist Kristallzüchtung ein hoch interdisziplinäres Fachgebiet, das Expertise in der Physik, Chemie und Materialwissenschaft nötig macht.
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Kategorie Spezifikationen
- Wafer und Substrate aus elementaren und Verbindungs-Halbleitern
- Spezifikationen über die Standardangebote hinaus (z.B. Maße, Politur, Orientierungen und Dotierungen) bitte auf Anfrage